背散射電子（BSE）是由入射電子束與原子核的彈性散射或非彈性散射所產(chǎn)生的高能電子。背散射電子（BSE）的產(chǎn)率，即出射的背散射電子（BSE）數(shù)與入射電子數(shù)之比，取決于樣品平均原子序數(shù)：平均原子序數(shù)越高，或元素越重，襯度就越亮。在飛納臺式掃描電鏡中，背散射電子是通過放置在樣品上方的四分割半導體探測器檢測到的。在這篇博客中，將解釋什么是半導體探測器，以及如何在掃描電子顯微鏡下檢測背散射電子。

背散射電子的發(fā)射

當入射電子擊中樣品表面時，入射電子與原子的原子核相互作用，并偏離其軌跡，如圖1所示。

圖1：入射電子與原子核相互作用后散射的示意圖

如果條件合適，入射電子可以被散射回來，并脫離樣品表面，保持其高能量。一般來說，較重的元素，因為它們的原子核較大，可以比較輕的元素更強烈地偏轉入射電子。因此，在掃描電鏡圖像中，像銀這樣的重元素（原子序數(shù)為47）與原子序數(shù)為14的輕元素（如硅）相比顯得更加明亮，因為更多的背散射電子從樣品表面發(fā)射出來。